esim. BC337:n datalehdessä mainitaan:
"VBE (on), Base Emitter On Voltage, VCE=1V, IC=300mA, 1.2 V"
Kanta-emitteri -välin jännite voi siis olla jopa 1,2 V, mikä on aika paljon enemmän kuin usein laskelmissa käytetty 0,6 .. 0,65 V.
Olisi mielenkiintoista tietää, miten kantajännite muuttuu kantavirran funktiona.
Tuon voi tietysti selvittää kokeellisesti, mutta datalehti ei mainitse max. turvallisesta kantavirrasta mitään !
Voiko siis olettaa, että kantavirran voi nostaa jopa 125 mA asti ilman haittaa transistorille ?
Ideana siis olisi säädellä kantavirtaa ja samalla mitata kantajännite B-E.
Tässä testissä kollektoria ei siis kytketä mihinkään.
max. Collector Power Dissipation = 625 mW.
Tuo 125 mA siis laskettiin tällaisella oletuksella:
0,625 W / 5 V = 0,125 A. Muuta maksimia tehonkestoa kuin nimenomaan kollektoriin liittyvää ei datalehti mainitse.
B-E -välihän voidaan ajatella diodiksi, mutta se on hieman epäselvää, kuinka korkeita virtoja ko. transistorin sisäinen diodi kestää vahingoittamatta transistoria mitenkään, ja mikä on ko. virtaa vastaava jännite.
"VBE (on), Base Emitter On Voltage, VCE=1V, IC=300mA, 1.2 V"
Kanta-emitteri -välin jännite voi siis olla jopa 1,2 V, mikä on aika paljon enemmän kuin usein laskelmissa käytetty 0,6 .. 0,65 V.
Olisi mielenkiintoista tietää, miten kantajännite muuttuu kantavirran funktiona.
Tuon voi tietysti selvittää kokeellisesti, mutta datalehti ei mainitse max. turvallisesta kantavirrasta mitään !
Voiko siis olettaa, että kantavirran voi nostaa jopa 125 mA asti ilman haittaa transistorille ?
Ideana siis olisi säädellä kantavirtaa ja samalla mitata kantajännite B-E.
Tässä testissä kollektoria ei siis kytketä mihinkään.
max. Collector Power Dissipation = 625 mW.
Tuo 125 mA siis laskettiin tällaisella oletuksella:
0,625 W / 5 V = 0,125 A. Muuta maksimia tehonkestoa kuin nimenomaan kollektoriin liittyvää ei datalehti mainitse.
B-E -välihän voidaan ajatella diodiksi, mutta se on hieman epäselvää, kuinka korkeita virtoja ko. transistorin sisäinen diodi kestää vahingoittamatta transistoria mitenkään, ja mikä on ko. virtaa vastaava jännite.
Vastaukset 5
Vanhimmat
Kanta-emitterijännite riippuu kantavirrasta ja tietysti transistorista (= piipalan koosta). Laskelmissa käytetään monesti keskimääräistä kantajännitettä, 0,6 - 0,7V.
Eli todella tuo jännite voi olla 300mA kollektorivirralla 1 - 1,2V.
Tuossa on Philipsin datasheet samalle transistorille:
http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/philips/BC337_3.pdf
Limiting Values-kohdassa: Peak base current = 200mA
Vastaavasti kanta-emitterijännite 500mA kollektorivirralla on max 1,2V.
Tehtaallahan noita käyriä mitataan nopeilla virtapulsseilla tai virtapyyhkäisyllä. Itse tehden saattaa max virrat ylittyä ja transistori tuhoutua.
Esim tuosta datasheetistä,
http://www.nxp.com/documents/data_sheet/1N4148_1N4448.pdf
sivu 4, Fig. 3 näkee, miten diodin läpi kulkevan virran suuruus vaikuttaa kynnysjännitteeseen. Sama pätee myös transistorin kanta-emitterijännitteeseen.
Eipä sitä kantaa tulisi raiskata enää täyteläisestä trankun saturaatiosta enempää. Varmasti tuollaiselle pikkukivelle on luokkaa 100mA se ehdoton järkevä maksimi, varsinkin jos kollektorillakin tapahtuu samaan aikaan jotain. Yleensäkään ei kannata suunnitella elektroniikkaa siten, että bipolaaritrankun kantaa käytetään lämmittimenä...
Kannattaa myös muistaa, että kanta-emitteriliitoksen läpi kulkee myös kollektorivirta. Tämän takaia kanta-emitteri jännite ilmoitetaan kollektorivirran funktiona. Jos kollektorivirtaa ei kulje (Kollektorilla ei jännitettä), niin kanta-emitterijännite on pienempi.
Suuren kantavirran kytkennässä oli tarkoitus jättää kollektori kokonaan kytkemättä, ja kytkeä suuri kantavirta NPN -transistorin B:ltä E:lle.
Miksikö ?
No ihan siksi, että haluaisin näin selvittää, kuinka suureksi kanta -emitterijännite nousee suurimmalla sellaisella kantavirralla, jonka transistori vahingoittumatta kestää.
Lainatakseni kirjoittajaa "ﭛﮐשּﭳﭻ" : "Kannattaa myös muistaa, että kanta-emitteriliitoksen läpi kulkee myös kollektorivirta."
Eikö tuo sitten tarkoita sitä, että jos kollektori jätetään kytkemättä, niin tuollaisessa kytkennässä kanta kestää saman virran minkä kollektori tavanomaisemmissa kytkennöissä ?
Eli onko siis niin, että jos transistori kestää 500 mA virran C:ltä E:lle, niin saman trnasistorin pitäisi silloin kestää myös 500 mA virran B:ltä E:lle, kun kollektori (C) jätetään kokonaan kytkemättä mihinkään, eli testikytkennässä siis transistorin annetaan toimia kuten diodi.
Testissä pitäisi siis toki ottaa huomioon myös B-E -jännite, ja huolehtia siitä, että jännitteen ja virran tulo ei ylitä datalehdessä annettua "maximum power dissipation" -arvoa.
Eli, jos siis haluaa testata jopa yli 100 mA virralla, niin silloin pitäisi vaikkapa mikrokontrollerilla valvoa sekä jännitettä että virtaa ja säätää virta tarvittaessa pienemmäksi, jottei transistori ylikuumene niin paljon, että hajoaa.
Hmm.. ihan kiva, mutta miksi haluat ajaa transistorin syväsaturaatioon? Se on sieltä tuskasen hidasta saada pois, koska jännitettä on BE-diodin yli vaan n. 0.6V, mikä ajamassa elektroneja. Parempi on ohjata transistori vain lähes kiinni, eli n. 0.2V jännite CE-välille, niin se on myöskin nopea.
Ja jos tehoa haluat ohjata hiukan enemmän, niin mikset kokeilisi vaikka n-fettiä, esim. BS170 pystyy ohjaamaan 600mA, eli pientä hehkulamppua suoraan, kun pitää transientit nopeina. Ja sen sarjavastus taitaa olla kuitenkin pienempi, kuin mitä tolla BC337-trankulla on.