Darlingtonkytkennästä löytyy toki hyvä selitys perusasioista esim. täältä:
http://koti.mbnet.fi/~huhtama/ele/index.php?si=ml26.sis&pa=jaaa
mutta...
lainaus em. sivulta: "Oheinen kuva selventänee kytkennän periaatetta. Kuvassa A on esitetty kahden NPN transistorin muodostama darlingtonkytkentä, johon on lisäksi merkattu edellä kuvatun esimerkin vahvistuskertoimet ja virrat"
Jos darlingtonkytkentää ajatellaan kokonaisuutena ja oletetaan seuraavaa:
1. darlingtonkytkentä kokonaisuutena: C-E virta = 7A
2. kummankin transistorin hFE on vähintään 4 kaikilla virran arvoilla
http://koti.mbnet.fi/~huhtama/ele/index.php?si=ml26.sis&pa=jaaa
mutta...
lainaus em. sivulta: "Oheinen kuva selventänee kytkennän periaatetta. Kuvassa A on esitetty kahden NPN transistorin muodostama darlingtonkytkentä, johon on lisäksi merkattu edellä kuvatun esimerkin vahvistuskertoimet ja virrat"
Jos darlingtonkytkentää ajatellaan kokonaisuutena ja oletetaan seuraavaa:
1. darlingtonkytkentä kokonaisuutena: C-E virta = 7A
2. kummankin transistorin hFE on vähintään 4 kaikilla virran arvoilla
Vastaukset 3
Vanhimmat
Tutustupas mosfetteihin. Ne ovat paljon parempia monessa käytössä kuin transistorit. Esim. jännitehäviö ja lämpöhäviö ja ohjaukseen tarvittava teho yleensä paljon pienempiä.
"Siirry jo nykyaikaan ...
Tutustupas mosfetteihin"
Toki olen selvillä mosfet:ien olemassaolosta.
Pienillä taajuuksilla ne ovatkin erinomainen ratkaisu.
Mutta eikös niissä ole periaatteessa ikäänkuin kondensaattori Gate ja drain -nastan välillä ?
Eli pienillä taajuuksilla homma toimii hienosti, suuremmilla taajuuksilla sitten tuo gate:n kapasitanssi alkaa vaikuttaa siten, että kummasti alkaa Gatella kulua virtaa, vaikka teoriassa mosfet:in pitäisi olla jänniteohjattu komponentti.
entäpä herkkyys staattisille piikeille ?
onko mosfeteissä suojaus niitä vastaan, vai ovatko yhtä herkkiä kuin esim cmos -piirit hajoamaan staattisen sähkön vaikutuksesta ?
Useimmissa datalehdyköissä neuvotaan laittamaan noin 10k vastus G-D -välille, juurikin kapasitanssiongelmien ja häiriöherkkyyden pienentämiseksi. Eivätkä ne ole oikein käytettynä mitenkään herkkiä hajoamaan staattisen sähkön vaikutuksesta, kuten eivät myöskään cmos-piirit. Taajuuden suhteen kaikilla komponenteilla on rajansa, eikä mosfetit poikkea mitenkään merkittävästi transistoreista, paitsi ehkä jos puhutaan todella isoista taajuuksista.