V(gs) FETeillä

Blondi

Jos kynnysjännite on V(gs)=V(th) on vaikkapa 2V, johtaako avaustyypin FET-transistori vain jos V(g)>V(s)(eli jännite-ero näin päin kuten bipolaaritransistoreilla vastaava V(ce) diodidroppi) vai riittääkö em. suuruinen jännite-ero ylipäänsä vaikka olisikin V(g)

7

478

Äänestä

    Vastaukset

    Anonyymi (Kirjaudu / Rekisteröidy)
    5000
    • sama

      ups.

      • minätässä

        fet todellakin alkaa johtaa, kun hilan ja sorsan välinen jännite on yli avautumisjännitteen. En tosin ihan ymmärtänyt kymysystä.


      • Selvensiköhän tämä yhtään...
        minätässä kirjoitti:

        fet todellakin alkaa johtaa, kun hilan ja sorsan välinen jännite on yli avautumisjännitteen. En tosin ihan ymmärtänyt kymysystä.

        täytyykö hilan (gate) potentiaalin olla tuo 2V suurempi kuin lähteen (source) vai alkaako FET johtaa vaikka hilan potentiaali olisi 2V pienempi kuin lähteen vaikka ero on tuo sama V(gs) eli 2V. Bipolaaritransistoreilla ainakin potentiaalieron tulee olla nimenomaan niin päin että kannan jännitteen tulee olla 0,6-0,7V suurempi kuin emitterin jotta transistori (diodi)johtaisi ja mietin onko FETeillä sama juttu vai riittääkö V(th):n olemassaolo ylipäänsä.
        Toisaalta kai ilmoitettaisi V(th)= - 2V jos se voisi olla kummin päin tahansa?

        Ja siis vielä onko tilanne sama npn ja pnp-tyypeillä vai eroaako jotenkin?

        Kiitos kuitenkin vastauksestasi...


      • minätässä
        Selvensiköhän tämä yhtään... kirjoitti:

        täytyykö hilan (gate) potentiaalin olla tuo 2V suurempi kuin lähteen (source) vai alkaako FET johtaa vaikka hilan potentiaali olisi 2V pienempi kuin lähteen vaikka ero on tuo sama V(gs) eli 2V. Bipolaaritransistoreilla ainakin potentiaalieron tulee olla nimenomaan niin päin että kannan jännitteen tulee olla 0,6-0,7V suurempi kuin emitterin jotta transistori (diodi)johtaisi ja mietin onko FETeillä sama juttu vai riittääkö V(th):n olemassaolo ylipäänsä.
        Toisaalta kai ilmoitettaisi V(th)= - 2V jos se voisi olla kummin päin tahansa?

        Ja siis vielä onko tilanne sama npn ja pnp-tyypeillä vai eroaako jotenkin?

        Kiitos kuitenkin vastauksestasi...

        mennä hiukan filosofiseksi pohdinnaksi, jos mietitään, että riittääkö fetin avaamiseen juuri tuo avausjännite, vai pitääkö olla pikovoltti enemmän.
        Jännitteen polariteetti riippuu siitä, onko kyseessä n- vai p-kanavan fetti. Aivan niinkuin bipolaaritransistoreilla.


      • mosfetisti
        Selvensiköhän tämä yhtään... kirjoitti:

        täytyykö hilan (gate) potentiaalin olla tuo 2V suurempi kuin lähteen (source) vai alkaako FET johtaa vaikka hilan potentiaali olisi 2V pienempi kuin lähteen vaikka ero on tuo sama V(gs) eli 2V. Bipolaaritransistoreilla ainakin potentiaalieron tulee olla nimenomaan niin päin että kannan jännitteen tulee olla 0,6-0,7V suurempi kuin emitterin jotta transistori (diodi)johtaisi ja mietin onko FETeillä sama juttu vai riittääkö V(th):n olemassaolo ylipäänsä.
        Toisaalta kai ilmoitettaisi V(th)= - 2V jos se voisi olla kummin päin tahansa?

        Ja siis vielä onko tilanne sama npn ja pnp-tyypeillä vai eroaako jotenkin?

        Kiitos kuitenkin vastauksestasi...

        N-tyypin feteillä gaten täytyy olla positiivinen sourceen nähden, jotta fetti johtaisi. P-tyyppisillä päinvastoin. P-tyypin fetit on harvinaisia ja tyypillisesti heikompia suorituskyvyltään N-mallisiin verrattuna.


      • minätässä
        minätässä kirjoitti:

        mennä hiukan filosofiseksi pohdinnaksi, jos mietitään, että riittääkö fetin avaamiseen juuri tuo avausjännite, vai pitääkö olla pikovoltti enemmän.
        Jännitteen polariteetti riippuu siitä, onko kyseessä n- vai p-kanavan fetti. Aivan niinkuin bipolaaritransistoreilla.

        vielä lisäys: Mosfetin avaamiseen tarvittava hilajännite tietenkin riippuu virrasta ja lämpötilasta. Erään IR:n fetin tarvittava hila-sorsa-jännite on välillä 3...9 V, kun drain-virta on 100 mA...100A.


      • nyt pääsen selvittämään kyt...
        mosfetisti kirjoitti:

        N-tyypin feteillä gaten täytyy olla positiivinen sourceen nähden, jotta fetti johtaisi. P-tyyppisillä päinvastoin. P-tyypin fetit on harvinaisia ja tyypillisesti heikompia suorituskyvyltään N-mallisiin verrattuna.

        Mulla on kytkentä (FET-kytkin) jossa sekä p- että n-tyypin FETtejä enkä löytänyt sen tarkempaa tietoa kuin V(gs):stä ihan ylipäänsä.

        Kiitos vielä kaikille vastanneille :)


    Ketjusta on poistettu 0 sääntöjenvastaista viestiä.

    Luetuimmat keskustelut

    1. Räppäri kuoli vankilassa

      Ei kuulemma ole tapahtunut rikosta. Sama vahinkohan kävi Epsteinille. https://www.hs.fi/suomi/art-2000011840869.html "
      Maailman menoa
      87
      4028
    2. Välillä kyllä tuntuu, että jaat vihjeitä

      Mutta miten niistä voi olla ollenkaan varma? Ja minä saan niistä kimmokkeen luulemaan yhtä sun toista. Eli mitä ajatella
      Ikävä
      24
      2891
    3. No kyllä te luuserit voitte tehdä mitä vaan keskenänne, sitä en ymmärrä miksi pelaat,nainen

      Pisteesi silmissäni, edes ystävätasolla tippui jo tuhannella, kun sain selville pelailusi, olet toisen kanssa, vaikka ol
      Ikävä
      45
      2310
    4. Missä näitte viimeksi?

      Missä näit kaivattua viimeksi ja oliko sähköä ilmassa?
      Ikävä
      34
      1311
    5. Puukotus yöllä

      Oli kaveri hermostunut ja antanut puukosta.
      Sotkamo
      10
      899
    6. 131
      875
    7. rakas J siellä jossain

      Niin ikävä sua. -P. Nainen
      Ikävä
      6
      844
    8. Masan touhut etenee

      Punatiilitalon tietotoimiston mukaan Masa on saanut viimein myytyä kämppänsä ja kaavoittaa uudelle lukaalille tonttia pa
      Äänekoski
      12
      811
    9. Naisten ja miesten tasoeroista

      Oletteko huomanneet, että naisissa ylemmän tason naiset ovat sinkkuja, ja miehissä alemman tason incelit? Toimivat paris
      Ikävä
      124
      756
    10. You've been running and

      so has your mind, I'm thinking of you all the time... 💘
      Ikävä
      11
      750
    Aihe