V(gs) FETeillä

fet todellakin alkaa johtaa, kun hilan ja sorsan välinen jännite on yli avautumisjännitteen. En tosin ihan ymmärtänyt kymysystä.

minätässä kirjoitti:

fet todellakin alkaa johtaa, kun hilan ja sorsan välinen jännite on yli avautumisjännitteen. En tosin ihan ymmärtänyt kymysystä.

täytyykö hilan (gate) potentiaalin olla tuo 2V suurempi kuin lähteen (source) vai alkaako FET johtaa vaikka hilan potentiaali olisi 2V pienempi kuin lähteen vaikka ero on tuo sama V(gs) eli 2V. Bipolaaritransistoreilla ainakin potentiaalieron tulee olla nimenomaan niin päin että kannan jännitteen tulee olla 0,6-0,7V suurempi kuin emitterin jotta transistori (diodi)johtaisi ja mietin onko FETeillä sama juttu vai riittääkö V(th):n olemassaolo ylipäänsä.
Toisaalta kai ilmoitettaisi V(th)= - 2V jos se voisi olla kummin päin tahansa?

Ja siis vielä onko tilanne sama npn ja pnp-tyypeillä vai eroaako jotenkin?

Kiitos kuitenkin vastauksestasi...

Selvensiköhän tämä yhtään... kirjoitti:

täytyykö hilan (gate) potentiaalin olla tuo 2V suurempi kuin lähteen (source) vai alkaako FET johtaa vaikka hilan potentiaali olisi 2V pienempi kuin lähteen vaikka ero on tuo sama V(gs) eli 2V. Bipolaaritransistoreilla ainakin potentiaalieron tulee olla nimenomaan niin päin että kannan jännitteen tulee olla 0,6-0,7V suurempi kuin emitterin jotta transistori (diodi)johtaisi ja mietin onko FETeillä sama juttu vai riittääkö V(th):n olemassaolo ylipäänsä.
Toisaalta kai ilmoitettaisi V(th)= - 2V jos se voisi olla kummin päin tahansa?

Ja siis vielä onko tilanne sama npn ja pnp-tyypeillä vai eroaako jotenkin?

Kiitos kuitenkin vastauksestasi...

mennä hiukan filosofiseksi pohdinnaksi, jos mietitään, että riittääkö fetin avaamiseen juuri tuo avausjännite, vai pitääkö olla pikovoltti enemmän.
Jännitteen polariteetti riippuu siitä, onko kyseessä n- vai p-kanavan fetti. Aivan niinkuin bipolaaritransistoreilla.

Selvensiköhän tämä yhtään... kirjoitti:

täytyykö hilan (gate) potentiaalin olla tuo 2V suurempi kuin lähteen (source) vai alkaako FET johtaa vaikka hilan potentiaali olisi 2V pienempi kuin lähteen vaikka ero on tuo sama V(gs) eli 2V. Bipolaaritransistoreilla ainakin potentiaalieron tulee olla nimenomaan niin päin että kannan jännitteen tulee olla 0,6-0,7V suurempi kuin emitterin jotta transistori (diodi)johtaisi ja mietin onko FETeillä sama juttu vai riittääkö V(th):n olemassaolo ylipäänsä.
Toisaalta kai ilmoitettaisi V(th)= - 2V jos se voisi olla kummin päin tahansa?

Ja siis vielä onko tilanne sama npn ja pnp-tyypeillä vai eroaako jotenkin?

Kiitos kuitenkin vastauksestasi...

N-tyypin feteillä gaten täytyy olla positiivinen sourceen nähden, jotta fetti johtaisi. P-tyyppisillä päinvastoin. P-tyypin fetit on harvinaisia ja tyypillisesti heikompia suorituskyvyltään N-mallisiin verrattuna.

minätässä kirjoitti:

mennä hiukan filosofiseksi pohdinnaksi, jos mietitään, että riittääkö fetin avaamiseen juuri tuo avausjännite, vai pitääkö olla pikovoltti enemmän.
Jännitteen polariteetti riippuu siitä, onko kyseessä n- vai p-kanavan fetti. Aivan niinkuin bipolaaritransistoreilla.

vielä lisäys: Mosfetin avaamiseen tarvittava hilajännite tietenkin riippuu virrasta ja lämpötilasta. Erään IR:n fetin tarvittava hila-sorsa-jännite on välillä 3...9 V, kun drain-virta on 100 mA...100A.

mosfetisti kirjoitti:

N-tyypin feteillä gaten täytyy olla positiivinen sourceen nähden, jotta fetti johtaisi. P-tyyppisillä päinvastoin. P-tyypin fetit on harvinaisia ja tyypillisesti heikompia suorituskyvyltään N-mallisiin verrattuna.

Mulla on kytkentä (FET-kytkin) jossa sekä p- että n-tyypin FETtejä enkä löytänyt sen tarkempaa tietoa kuin V(gs):stä ihan ylipäänsä.

Kiitos vielä kaikille vastanneille :)