"Uutta potkua transistorien kehitykselle
Elektroniikan kehitys releistä, putkien kautta puolijohdetekniikkaan on tavallaan tullut tiensä päähän. Monissa tutkimuslaitoksissa kehitellään uudistuksia nykytekniikkaan mutta myös uudenlaisia näkökulmia on etsitty.
Rochesterin yliopiston tietokonetekniikan osastolla kehitellään täysin uudenlaista Ballistic Deflection Transistor -tekniikkaa. Elektronivirran pysäyttämisen ja käynnistämisen sijaan BDT-tekniikka kimmauttaa yksittäisiä elektroneja suuntaajan avulla valittuun suuntaan. Jatkuvan elektronivirran suunnanvaihto eli ykkösen ja nollan valinta on näin tehden erittäin nopea toimenpide.
Ballistinen poikkeutustransistori hyödyntää elektronien inertiaenergiaa sen sijaan, että suurella energiamäärällä ajetaan elektroneja liikkeelle. Nykyisten transistoreiden elektronivirran pysäytys ja liikkeelle saanti kehittää runsaasti lämpöä. Lisäksi nykytransistoreiden sähköiset vuodot ultra-ohuissa eristeissä rajoittavat niiden nopeutta.
The National Science Foundation on niin vakuuttunut ideasta että on myöntänyt Rochesterin yliopistolle 1,1 miljoonaa dollaria prototyypin kehittämiseen. Ballistinen transistori on nanoskaalan rakenne ja tutkijat uskovat, että sen nopeus tulee olemaan terahertsejä. Ongelmana onkin kuinka tutkia prototyypin ominaisuuksia. Tarjolla ei ole olemassa terahertseihin yltäviä oskilloskooppeja.
BDT-transistorissa kohinaa voi esiintyä vain sähköisessä ohjaavassa kentässä ja lisäksi laskelmat osoittavat, että kohinan eri variaatiot saattaisivat kumota toisiaan kun elektronit ohittavat kentän.
BDT:n ballistisuus perustuu "2D elektronikaasuksi" kutsuttuun kalvomaiseen puolijohdemateriaalin. Materiaalissa elektronit voivat liikkua törmäilemättä epäpuhtauksiin, ja siten heikentäisivät transistorin suorituskykyä.
- Veijo Hänninen"
http://www.prosessori.fi/uutiset/uutinen.asp?id=49013
Elektroniikan kehitys releistä, putkien kautta puolijohdetekniikkaan on tavallaan tullut tiensä päähän. Monissa tutkimuslaitoksissa kehitellään uudistuksia nykytekniikkaan mutta myös uudenlaisia näkökulmia on etsitty.
Rochesterin yliopiston tietokonetekniikan osastolla kehitellään täysin uudenlaista Ballistic Deflection Transistor -tekniikkaa. Elektronivirran pysäyttämisen ja käynnistämisen sijaan BDT-tekniikka kimmauttaa yksittäisiä elektroneja suuntaajan avulla valittuun suuntaan. Jatkuvan elektronivirran suunnanvaihto eli ykkösen ja nollan valinta on näin tehden erittäin nopea toimenpide.
Ballistinen poikkeutustransistori hyödyntää elektronien inertiaenergiaa sen sijaan, että suurella energiamäärällä ajetaan elektroneja liikkeelle. Nykyisten transistoreiden elektronivirran pysäytys ja liikkeelle saanti kehittää runsaasti lämpöä. Lisäksi nykytransistoreiden sähköiset vuodot ultra-ohuissa eristeissä rajoittavat niiden nopeutta.
The National Science Foundation on niin vakuuttunut ideasta että on myöntänyt Rochesterin yliopistolle 1,1 miljoonaa dollaria prototyypin kehittämiseen. Ballistinen transistori on nanoskaalan rakenne ja tutkijat uskovat, että sen nopeus tulee olemaan terahertsejä. Ongelmana onkin kuinka tutkia prototyypin ominaisuuksia. Tarjolla ei ole olemassa terahertseihin yltäviä oskilloskooppeja.
BDT-transistorissa kohinaa voi esiintyä vain sähköisessä ohjaavassa kentässä ja lisäksi laskelmat osoittavat, että kohinan eri variaatiot saattaisivat kumota toisiaan kun elektronit ohittavat kentän.
BDT:n ballistisuus perustuu "2D elektronikaasuksi" kutsuttuun kalvomaiseen puolijohdemateriaalin. Materiaalissa elektronit voivat liikkua törmäilemättä epäpuhtauksiin, ja siten heikentäisivät transistorin suorituskykyä.
- Veijo Hänninen"
http://www.prosessori.fi/uutiset/uutinen.asp?id=49013
Vastaukset
Vanhimmat
Ei vielä vastauksia
Aloittaja odottaa vastauksia. Kerro oma näkemyksesi ensimmäisenä.